參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9V2040P3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
中文描述： 10 A, 390 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 195K
代理商： ISL9V2040P3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9V2040D3S / ISL9V2040S3S / ISL9V2040P3 Rev. B2, April 2002
I
Typical Performance Curves
(Continued)
Figure 13. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
Figure 14. Gate Charge
Figure 15. Breakdown Voltage vs Series Gate Resistance
Figure 16. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
C
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
1200
800
600
1000
0
10
5
15
20
25
0
C
OES
C
RES
C
IES
FREQUENCY = 1 MHz
400
200
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
2
4
8
0
5
10
15
20
25
3
5
7
6
1
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 1.25
,
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 6V
V
CE
= 12V
B
C
,
R
G
, SERIES GATE RESISTANCE (k
)
415
395
385
405
10
2000
1000
3000
370
100
400
390
410
380
T
J
= - 40
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
I
CER
= 10mA
375
Z
t
,
T
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
0
10
-2
10
-1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
0
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
t
1
t
2
P
D
10
-5
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
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PDF描述
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