參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9V2540S3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
中文描述： 15.5 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： ISL9V2540S3ST
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9V2540S3S Rev A.
www.fairchildsemi.com
I
Typical Performance Curves
(Continued)
Figure 13. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
Figure 14. Gate Charge
Figure 15. Breakdown Voltage vs Series Gate Resistance
Figure 16. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
0
250
500
750
1000
1250
1500
0
5
10
15
20
25
C
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
COES
CRES
CIES
FREQUENCY = 1 MHz
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 1.25
,
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 6V
V
CE
= 12V
405
410
415
420
425
430
435
440
445
10
100
1000
5000
B
C
,
R
G
, SERIES GATE RESISTANCE (
)
T
J
= - 40
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
Z
θ
J
,
T
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
t
1
t
2
P
D
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
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