參數(shù)資料
型號： ISL9V3040D3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
中文描述： 21 A, 450 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 196K
代理商： ISL9V3040D3S
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9V3040D3S / ISL9V3040S3S / ISL9V3040P3 / ISL9V3040S3 Rev. D2, April 2003
I
Typical Performance Curves
(Continued)
Figure 7. Collector to Emitter On-State Voltage vs
Collector Current
Figure 8. Transfer Characteristics
Figure 9. DC Collector Current vs Case
Temperature
Figure 10. Threshold Voltage vs Junction
Temperature
Figure 11. Leakage Current vs Junction
Temperature
Figure 12. Switching Time vs Junction
Temperature
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
25
15
5
0
20
10
0
2.0
1.0
3.0
4.0
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 3.7V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 8.0V
T
J
= 175°C
I
C
,
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
2.0
1.0
3.0
4.0
25
15
5
0
20
10
PULSE DURATION = 250μs
DUTY CYCLE < 0.5%, V
CE
= 5V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
2.5
1.5
3.5
4.5
T
J
= -40°C
I
C
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
25
25
175
125
75
50
100
150
20
15
10
5
0
V
GE
= 4.0V
2.2
175
50
100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.0
V
CE
= V
GE
I
CE
= 1mA
V
T
,
T
J
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
0
-50
125
75
25
-25
1.2
L
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
1000
10
0.1
10000
100
1
25
-25
175
125
75
-50
0
50
100
150
V
CES
= 250V
V
ECS
= 24V
V
CES
= 300V
25
175
125
75
50
100
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
S
12
10
8
6
4
2
I
CE
= 6.5A, V
GE
= 5V, R
G
= 1K
Resistive t
OFF
Inductive t
OFF
Resistive t
ON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9V3040P3 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
ISL9V3040S3 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
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ISL9V5036S3 EcoSPARKTM 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT
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參數(shù)描述
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ISL9V3040D3ST_R4956 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DISCRETE
ISL9V3040D3ST_R4969 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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