參數資料
型號： ISL9V5036S3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： EcoSPARKTM 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT
中文描述： 46 A, 420 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數： 5/8頁
文件大小： 206K
代理商： ISL9V5036S3S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9V5036S3S / ISL9V5036P3 / ISL9V5036S3 Rev. C1, September 2002
I
Figure 13. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
Figure 14. Gate Charge
Figure 15. Breakdown Voltage vs Series Gate Resistance
Figure 16. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Typical Characteristics
(Continued)
C
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
3000
1000
500
1500
0
10
5
15
20
25
0
C
IES
FREQUENCY = 1 MHz
C
OES
C
RES
2500
2000
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
2
4
8
0
10
20
30
40
50
3
5
7
6
1
I
G(REF)
= 1mA, R
L
= 0.6
,
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 6V
V
CE
= 12V
B
C
,
R
G
, SERIES GATE RESISTANCE (k
)
360
352
348
356
10
2000
1000
3000
344
100
354
350
358
346
T
J
= - 40
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
I
CER
= 10mA
342
340
Z
t
,
T
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
0
10
-2
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-1
10
-6
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
10
-3
10
-4
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