參數(shù)資料
型號(hào)： ISPLSI2128-80LM
廠商： LATTICE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： PLD
英文描述： In-System Programable High Density PLD
中文描述： EE PLD, 18.5 ns, PQFP160
封裝： MQFP-160
文件頁(yè)數(shù)： 3/19頁(yè)
文件大?。?/td> 234K
代理商： ISPLSI2128-80LM
Specifications
ispLSI 2128VE
3
Absolute Maximum Ratings
1
Supply Voltage V
cc
.................................. -0.5 to +5.4V
Input Voltage Applied............................... -0.5 to +5.6V
Off-State Output Voltage Applied ............ -0.5 to +5.6V
Storage Temperature................................ -65 to 150
°
C
Case Temp. with Power Applied .............. -55 to 125
°
C
Max. Junction Temp. (T
J
) with Power Applied ... 150
°
C
1. Stresses above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or at any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification
is not implied (while programming, follow the programming specifications).
DC Recommended Operating Condition
Erase Reprogram Specifications
Capacitance (T
A
=25
°
C, f=1.0 MHz)
C
C
C
SYMBOL
Table 2-0006/2128VE
PARAMETER
I/O Capacitance
Clock and Global Output Enable Capacitance
6
UNITS
pf
TYPICAL
8
TEST CONDITIONS
V = 3.3V, V = 0.0V
1
2
Dedicated Input Capacitance
pf
pf
V = 3.3V, V = 0.0V
V = 3.3V, V = 0.0V
10
3
Table 2-0008/2128VE
PARAMETER
MINIMUM
10,000
MAXIMUM
–
UNITS
Cycles
Erase/Reprogram Cycles
T
A
= 0
°
C to + 70
°
C
T
A
= -40
°
C to + 85
°
C
SYMBOL
Table 2-0005/2128VE
V
CC
V
IH
V
IL
PARAMETER
Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
MIN.
MAX.
UNITS
3.0
3.0
2.0
V
–
0.5
3.6
3.6
5.25
0.8
V
V
V
V
Commercial
Industrial
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ISPLSI2128-80LQ In-System Programable High Density PLD
ISPLSI2128-80LT 60V N-Channel QFET
ISPLSI2128-80LTI In-System Programable High Density PLD
ISPLSI2128 In-System Programable High Density PLD
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參數(shù)描述
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ISPLSI2128-80LTI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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