- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXDH30N120AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXDH30N120AU1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 50A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | IXDH30N120AU1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDT30N120AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA |
| IXDN55N120AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 85A I(C) | SOT-227B |
| IXDN75N120A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP610PC | Analog IC |
| IXDP610PM | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXDH30N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDH35N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDH35N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDI402PI | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXDI402SI | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 40V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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