- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXDT30N120AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXDT30N120AU1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）|至268AA |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | IXDT30N120AU1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN55N120AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 85A I(C) | SOT-227B |
| IXDN75N120A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP610PC | Analog IC |
| IXDP610PM | Analog IC |
| IXDP630PC | Analog Delay Circuit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXDT30N120D1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT with optional Diode |
| IXE5216EC.C0 | 制造商:Intel 功能描述:Electronic Component |
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。