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參數(shù)資料
| 型號： | IXE5418 |
| 元件分類： | 通信、網(wǎng)絡模塊及開發(fā)工具 |
| 英文描述： | Telecomm/Datacomm |
| 中文描述： | 電信/數(shù)據(jù)通信 |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | IXE5418 |
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Intel Media Switch
IXE5418 Gigabit Device
Data Sheet
9
5.0
Data Structures
5.1
Switching Block Entries
The Switching Engine block of the IXE5418 device uses a group of data structures when making
its forwarding decisions. These data structures called “entries” are linked to each other via pointers
and are usually stored in an external SSRAM (some of them can also be stored on-chip), as shown
below in
Figure 3
.
Each type of “entry” contains different information that allows the IXE5418 to support its diverse
set of features. Multiple addresses can point to the same entry type unless they use different
features. This results in compact and efficient memory usage, with memory requirements
increasing only as more of these features are enabled.
Figure 3.
IXE5418 Data Structures
RECORD
ENTRY
RECORD
ENTRY
RULES ENTRY
PROTOCOL
ENTRY
PROTOCOL
ENTRY
PROTOCOL
ENTRY
SWAP/QOS/FLOW
STAT ENTRY
NET ID ENTRY
NET ID ENTRY
Multiple Record Entries can
point to the same Rules
Entry, or to separate Rules
Entries.
Multiple words of the
Protocol Entry can point to
the same Net ID Entry, or to
separate Net ID Entries.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXF440 | LAN HUB CONTROLLER |
| IXF6048 | Telecommunication IC |
| IXFH42N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH4N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD |
| IXFH50N20S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXE611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXE611S1T/R | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXEH25N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXEH25N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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