參數(shù)資料
型號(hào)： IXEH40N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT3 IGBT
中文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXEH40N120
3 - 4
2003 IXYS All rights reserved
3
IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
Fig. 1 Typ. output characteristics
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. transient thermal impedance
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
120
A
0
40
80
120
160
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0
5
10
15
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A
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
nC
Q
G
V
V
GE
9 V
11 V
9 V
11 V
4
6
8
10
12
14
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40
60
80
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A
V
V
GE
I
C
0
1
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3
4
0
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30
45
60
75
90
A
V
V
F
I
F
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
t
s
K/W
Z
thJC
13 V
15 V
T
VJ
= 25°C
V
GE
= 17 V
15 V
13 V
T
VJ
= 125°C
V
GE
= 17 V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 20 V
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
V
CE
= 600 V
I
C
= 35 A
diode
[D1 version only]
MUBW3512E7
IGBT
single pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXEH40N120D1 NPT3 IGBT
IXFB80N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH35N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXEH40N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEL40N400 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN4003A 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:BEZEL PACK FOR 4247929
IXEN60N120 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN60N120_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in miniBLOC package
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