參數(shù)資料
型號： IXEH40N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT3 IGBT
中文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： IXEH40N120
4 - 4
2003 IXYS All rights reserved
3
IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ns
100
0
20
40
60
80
0
2
4
6
0
200
400
600
800
1000
1200
ns
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
0
40
80
120
160
E
off
t
d(off)
t
f
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
R
G
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
mJ
mJ
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 35 A
T
VJ
= 125°C
Eon
tr
td(on)
Eon
tr
td(on)
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 39
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 35 A
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 39
T
VJ
= 125°C
E
rec(off)
E
rec(off)
Fig. 11
Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
Fig. 12
Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
0
10
20
30
40
50
60
70
0
200
400
600
800
-di
F
/dt [A/μs]
1000
1200
1400
1600
1800
I
R
[
0
50
100
150
200
250
300
350
t
r
[
R
G
=
I
RM
t
RR
39
56
56
75
75
V
CE
=600V
V
GE
=+-15V
T
j
=125°C
I
F
=35A
V
R
39
24
24
15
15
0
2
4
6
8
10
12
0
200
400
600
800
-di
F
/dt [A/μs]
1000
1200
1400
1600
1800
Q
r
I
F
=
R
G
=
75
56
39
24
15
7,5A
70A
50A
35A
15A
T
VJ
I
F
T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V
相關PDF資料
PDF描述
IXEH40N120D1 NPT3 IGBT
IXFB80N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH35N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導通電阻100mΩ的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻1.1Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.15Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXEH40N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEL40N400 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN4003A 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:BEZEL PACK FOR 4247929
IXEN60N120 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN60N120_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in miniBLOC package
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