參數(shù)資料
型號： IXEH40N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： NPT3 IGBT
中文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXEH40N120D1
2 - 4
2003 IXYS All rights reserved
3
IXEH 40N120
IXEH 40N120D1
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+150
-55...+150
°
C
°
C
M
d
mounting torque
0.8...1.2
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
thCH
with heatsink compound
0.25
K/W
Weight
6
g
Diode
[D1 version only
]
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
60
35
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 40 A; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
2.6
2.0
3.0
V
V
I
RM
t
rr
E
rec(off)
51
180
1.8
A
ns
mJ
R
thJC
1.0 K/W
I
F
= 30 A; di
/dt = -500 A/μs; T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
Equivalent Circuits for Simulation
Conduction
IGBT (typ. at V
= 15 V; T
= 125°C)
V
0
= 0.95 V; R
0
= 45 m
Diode (typ. at T
= 125°C)
V
0
= 1.26V; R
0
= 15 m
Thermal Response
IGBT
C
th1
= 0.007 J/K; R
th1
= 0.215 K/W
C
th2
= 0.187 J/K; R
th2
= 0.205 K/W
Diode
C
th1
= 0.006 J/K; R
th1
= 0.649 K/W
C
th2
= 0.113 J/K; R
th2
= 0.351 K/W
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
相關PDF資料
PDF描述
IXFB80N50Q2 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH35N30 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導通電阻100mΩ的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻1.1Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.15Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK62N25 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXEL40N400 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN4003A 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:BEZEL PACK FOR 4247929
IXEN60N120 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXEN60N120_07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in miniBLOC package
IXEN60N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*