參數(shù)資料
型號: IXFH42N20S
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 42A條(丁)|對247VAR
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代理商: IXFH42N20S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH4N100Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247AD
IXFH50N20S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA
IXFH58N20S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR
IXFH76N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD
IXFH7N80 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH42N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH42N60P3 功能描述:MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH44N50P 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH44N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH450 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs