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參數(shù)資料
| 型號： | IXFH9N80S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 9A條（?。﹟對247SMD |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | IXFH9N80S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH8N65 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFJ40N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
| IXFK110N20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
| IXFK180N07 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA |
| IXFK185N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFHN100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFHT24N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFI7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFJ13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFJ32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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