型號: | IXFX24N100 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 24A條(?。﹟對247VAR |
文件頁數: | 4/4頁 |
文件大小: | 134K |
代理商: | IXFX24N100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFX90N20QS | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
IXGA10N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AA |
IXGA10N60U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AA |
IXGA12N60CD1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
IXGA15N120B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXFX24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX24N120Q2 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFX24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFX250N10P | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |