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參數資料
| 型號： | IXGQ200N100Y3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | IXGQ200N100Y3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ200N60Y3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| IXGQ25N100Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| IXGQ25N50Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 25A I(C) |
| IXGQ25N60Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 25A I(C) |
| IXGQ25N90Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 25A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGQ200N30PB | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ200N60Y3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| IXGQ20N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ20N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ240N30PB | 功能描述:IGBT 晶體管 POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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