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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGQ50N100Y4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | IXGQ50N100Y4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ50N50Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGQ50N60Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGQ50N90Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGQ75N100Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
| IXGQ75N50Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 75A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGQ50N50Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGQ50N60B4D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 PT Trench IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ50N60C4D1 | 功能描述:IGBT 模塊 PT Trench IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGQ50N60Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
| IXGQ50N90Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 50A I(C) |
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