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參數(shù)資料
| 型號： | IXGQ75N50Y4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 75A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 500V五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 455K |
| 代理商： | IXGQ75N50Y4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ75N60Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
| IXGQ75N90Y4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 75A I(C) |
| IXGT30N60B | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-268 |
| IXKC25N80C | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220VAR |
| IXSN62N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGQ75N60Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
| IXGQ75N90Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 75A I(C) |
| IXGQ85N33PCD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 340 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ90N27PB | 功能描述:IGBT 晶體管 340 Amps 270V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGQ90N33TC | 功能描述:IGBT 晶體管 TRENCH IGBTS 330V 360A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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