參數(shù)資料
型號： IXKC25N80C
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直|第25A條（丁）|對220VAR
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 1145K
代理商： IXKC25N80C
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents: 4,835,592
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
4,850,072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
166
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640 V, I
D
= 35 A
18
nC
84
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640V
I
D
= 35 A, R
G
= 2.2
15
ns
75
ns
10
ns
R
thJC
R
thCH
0.5
K/W
0.30
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
= 12.5 A, V
GS
= 0 V
Note 3
1
1.2
V
Note: 1. MOSFET chip capability
2. Intrinsic diode capability
3. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
IXKC 25N80C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN62N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B
IXSP2N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
IXSP2N100A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
IXSX35N120AU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD
IXTE25N10X4 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKC40N60C 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKF40N60SCD1 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKG25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKH24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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