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IXTE25N10X4	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 100V V(BR)DSS \| 25A I(D)
IXTE25N20X4	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 25A I(D)
IXTH30N45	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247AD
IXTM20N55	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 550V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-3
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IXTE25N10X4

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D)

IXTE25N20X4

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D)

IXTH30N45

IXTM20N55

IXTM21N45

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IXSX50N60AU1S	制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability

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參數(shù)描述

IXSX35N120BD1

功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXSX40N60BD1

功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXSX40N60CD1

功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXSX50N60AU1

功能描述:IGBT 75A 600V PLUS247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

IXSX50N60AU1S

制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability

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英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 70A I(C) \| TO-247SMD
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展\|第70A一（c）\|至247SMD
文件頁(yè)數(shù)：	4/5頁(yè)
文件大?。?/td>	339K
代理商：	IXSX35N120AU1S

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