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相關(guān)PDF資料	PDF描述
IXTM20N55	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 550V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-3
IXTM21N45	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-3
IXTM21N55	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 550V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-3
IXTM24N45	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| TO-3
IXTM26N45	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-3

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXTH30N50	功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50L	功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50L2	功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N50P	功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH30N60L2	功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

IXTH30N50

功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH30N50L

功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH30N50L2

功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH30N50P

功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH30N60L2

功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXTH30N45
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247AD
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 450V五（巴西）直\| 30A條（?。﹟采用TO - 247AD
文件頁(yè)數(shù)：	2/2頁(yè)
文件大小：	192K
代理商：	IXTH30N45

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