- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄362821 > IXTN36N45 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTN36N45 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 450V五（巴西）直| 36A條（?。?/td> |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | IXTN36N45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN79N20 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D) |
| IXTP11P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IXTN36N50 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN36N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN44N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTN46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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