參數(shù)資料
型號: IXTN36N45
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 450V五(巴西)直| 36A條(丁)
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 209K
代理商: IXTN36N45
相關PDF資料
PDF描述
IXTN79N20 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D)
IXTP11P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP1N100 High Voltage MOSFET
IXTP2N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTA2N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻7Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTN36N50 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN36N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXTN40P50P 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN44N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN46N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube