參數(shù)資料
型號： IXTP1N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 1.5 A, 1000 V, 11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 503K
代理商： IXTP1N100
相關PDF資料
PDF描述
IXTP2N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTA2N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻7Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
IXTP2N80 High Voltage MOSFET
M-FIAM5H11 Military 28Vin Filter Input Attenuator Module
M-FIAM5H21 Military 28Vin Filter Input Attenuator Module
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXTP1N120P 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP1N80 功能描述:MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP1N80P 功能描述:MOSFET Polar Power Mosfet 800V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP1R4N100P 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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