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參數(shù)資料
| 型號： | IXTP7N50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 7A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 576K |
| 代理商： | IXTP7N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN15N100 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) |
| IXTN36N45 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D) |
| IXTN79N20 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D) |
| IXTP11P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP1N100 | High Voltage MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTP7N50A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IXTP7N60P | 功能描述:MOSFET 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP7N60PM | 功能描述:MOSFET 7 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP7P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
| IXTP7P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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