JAN1N5551US

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

JAN1N5551US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SQ-MELF
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

JAN1N5551US
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20000
MICROSEMI
B-Pkg US
15+
-
原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk

JAN1N5551US 技術(shù)參數(shù)

JAN1N5551 功能描述:Diode Standard 400V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5550US 功能描述:Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5550 功能描述:Diode Standard 200V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:2μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5546DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5546D-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5610 JAN1N5611 JAN1N5612 JAN1N5614 JAN1N5614US JAN1N5615 JAN1N5615US JAN1N5616 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US