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JAN2N5004

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN2N5004
    JAN2N5004

    JAN2N5004

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-210AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN2N5004
    JAN2N5004

    JAN2N5004

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • TRANS NPN 80V 5A TO5

  • 22+

  • -
  • JAN2N5004
    JAN2N5004

    JAN2N5004

  • 深圳市萊特斯電子科技有限公司
    深圳市萊特斯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:江先生

    電話:19176527791

    地址:深圳市福田區(qū)賽格廣場1609A

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9600

  • MSC

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 21+

  • -
  • ?只做原裝進(jìn)口,承諾假一罰十,授權(quán)分銷商...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 80V 10A 3PIN TO-59 - Bulk
JAN2N5004 技術(shù)參數(shù)
  • JAN2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-46(TO-206AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5154L JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582 JAN2N5662 JAN2N5663 JAN2N5664
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