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JANTXV1N5530DUR-1

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  • 封裝
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  • JANTXV1N5530DUR-1
    JANTXV1N5530DUR-1

    JANTXV1N5530DUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JANTXV1N5530DUR-1
    JANTXV1N5530DUR-1

    JANTXV1N5530DUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 10V 500M

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JANTXV1N5530DUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER, DO-213AA, SD, LAW - Trays
JANTXV1N5530DUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV1N5530D-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5530CUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5530C-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5529DUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5529D-1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N5532CUR-1 JANTXV1N5532D-1 JANTXV1N5533B-1 JANTXV1N5533BUR-1 JANTXV1N5533C-1 JANTXV1N5533CUR-1 JANTXV1N5533D-1 JANTXV1N5533DUR-1 JANTXV1N5534B-1 JANTXV1N5534BUR-1 JANTXV1N5534C-1 JANTXV1N5534CUR-1 JANTXV1N5534D-1 JANTXV1N5534DUR-1 JANTXV1N5535B-1 JANTXV1N5535BUR-1 JANTXV1N5535C-1 JANTXV1N5535CUR-1
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