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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
NUMONYX
TSOP
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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JS28F256P33B95B 技術(shù)參數(shù)

JS28F256P33B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ JS28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ JS28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 JS28F256P30BFF TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP JS28F320J3D75B TR JS28F320J3D75D JS28F320J3D75D TR JS28F320J3D75E JS28F320J3F75A JS28F320J3F75B TR JS28F320J3F75E JS28F320J3F75F JS28F512M29AWHB TR JS28F512M29AWLB TR JS28F512M29EWH0 JS28F512M29EWHA JS28F512M29EWHB TR JS28F512M29EWL0 JS28F512M29EWLA JS28F512M29EWLB TR JS28F512M29EWLD JS28F512P30BFA