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JS28F640J3D75A

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
JS28F640J3D75A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
  • 系列
  • StrataFlash™
  • 產(chǎn)品變化通告
  • Product Discontinuation 26/Apr/2010
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 136
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲(chǔ)器
  • RAM
  • 存儲(chǔ)器類型
  • SRAM - 同步,DDR II
  • 存儲(chǔ)容量
  • 18M(1M x 18)
  • 速度
  • 200MHz
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼
  • 165-TBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 165-CABGA(13x15)
  • 包裝
  • 托盤(pán)
  • 其它名稱
  • 71P71804S200BQ
JS28F640J3D75A 技術(shù)參數(shù)
  • JS28F512P33TFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) JS28F512P33EFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) JS28F512P33EF0 功能描述:IC FLASH 512MBIT 105NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040 JS28F512P33BFD 功能描述:IC FLASH 512MBIT P33 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) JS28F512P30TFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P30 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) JS28F640J3F75E JS28F640J3F75G JS28F640P30B85A JS28F640P30BF75A JS28F640P30BF75D JS28F640P30T85A JS28F640P30TF75A JS28F640P33B85A JS28F640P33BF70A JS28F640P33T85A JS28F640P33TF70A JS28F800C3BD70 JS-28W JS-307 JS-308 JS-31 JS-32 JS-32A
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