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參數(shù)資料
| 型號： | J106 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻6Ω，夾斷電流10pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻6Ω，夾斷電流10pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | J106 |
J105/106/107
2
Siliconix
P-37408—Rev. C, 04-Jul-94
Specifications
a
Limits
J105
J106
J107
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
b
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Static
Gate-Source
Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= –1 A , V
DS
= 0 V
–35
–25
–25
–25
V
Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 5 V, I
D
= 1 A
–4.5
–10
–2
–6
–0.5
–4.5
Saturation Drain Current
c
I
DSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
500
200
100
mA
Gate Reverse Current
I
GSS
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
–0.02
–3
–3
–3
T
A
= 125 C
–10
Gate Operating Current
c
I
G
V
DG
= 10 V, I
D
= 25 mA
–0.01
nA
Drain Cutoff Current
D( ff)
I
D(off)
V
DS
= 5 V, V
GS
= –10 V
0.01
3
3
3
T
A
= 125 C
5
Drain-Source On-Resistance
r
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
3
6
8
Gate-Source Forward Voltage
V
GS(F)
I
G
= 1 mA , V
DS
= 0 V
0.7
V
Dynamic
Common-Source Forward
Transconductance
c
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 25 mA
f = 1 kHz
55
mS
Common-Source
Output Conductance
c
g
os
5
Drain-Source On-Resistance
r
ds(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 0 mA
f = 1 kHz
3
6
8
Common-Source
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
120
160
160
160
pF
Common-Source Reverse Trans-
fer Capacitance
C
rss
V
DS
= 0 V, V
GS
= –10 V
f = 1 MHz
20
35
35
35
Equivalent Input
Noise Voltage
e
n
V
DG
= 10 V, I
D
= 25 mA
f = 1 kHz
3
nV
√
Hz
Switching
Turn On Time
Turn-On Time
t
d(on)
6
t
r
V
DD
= 1.5 V, V
GS( )
= 0 V
S i hi
See Switching Diagram
8
ns
Turn-Off Time
t
d(off)
5
t
f
9
Notes
a.
b.
c.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
3%.
NVA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| J107 | N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻8Ω，夾斷電流10pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| J106_Q | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| J106-1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| J106-E3 | 功能描述:JFET 35V 200mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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