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參數(shù)資料
| 型號： | J109 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻12Ω，夾斷電流20pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻12Ω，夾斷電流20pA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | J109 |
J/SST108 Series
4
Siliconix
S-52424—Rev. D, 14-Apr-97
Typical Characteristics (Cont’d)
200
0
160
80
40
0
–8
–10
–4
50
40
20
10
0
120
30
–2
–6
100
0
–12
–16
–8
–4
–20
40
20
0
80
60
100
10
1
1
10
100
100
10
1
10
100
1 k
100 k
10 k
100
10
1
0.1
10
100
50
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
Transconductance vs. Drain Current
Forward Transconductance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
Noise Voltage vs. Frequency
C
n
(
e
n
/
√
)
–
g
f
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
f – Frequency (Hz)
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
rss
V
DS
= 5 V
f = 1 kHz
T
A
= –55 C
125 C
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 mA
g
fs
and g
os
@ V
DS
= 5 V
V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
g
fs
g
os
g
o
–
Common Gate Input Admittance
(
f – Frequency (MHz)
g
ig
b
ig
T
A
= 25 C
V
DG
= 20 V
I
D
= 20 mA
40 mA
20
Gate Leakage Current
0
4
8
12
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
16
20
100 nA
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
I
GSS
@ 125 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
I
D
=10 mA
5 mA
I
GSS
@ 25 C
10 mA
1 mA
–
I
G
V
GS(off)
= –4 V
25 C
5 mA
1 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| J109_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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