參數(shù)資料
型號(hào)： J110
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻18Ω，夾斷電流20pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻18Ω，夾斷電流20pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： J110
J/SST108 Series
Siliconix
S-52424—Rev. D, 14-Apr-97
3
Typical Characteristics
40
–55
25
125
32
24
16
8
0
–15
85
–35
5
45
65
105
20
0
–8
–10
–4
8
4
0
50
20
10
0
1
10
100
1000
800
400
200
0
16
12
600
40
30
–2
–6
5
0
–6
–8
–10
4
3
2
1
0
30
0
15
20
10
5
25
24
18
12
6
0
–2
–4
100
0
6
8
10
40
20
0
80
60
2
4
On-Resistance and Drain Current
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
On-Resistance vs. Drain Current
Turn-On Switching
Turn-Off Switching
On-Resistance vs. Temperature
Output Characteristics
r
D
–
)
–
I
D
–
I
D
S
S
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
– Temperature ( C)
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
r
DS
@ I
D
= 10 mA, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
r
DS
T
A
= 25_C
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
I
D
= 10 mA
r
DS
changes X 0.7%/ C
V
GS
= 0 V
t
r
approximately independent of I
D
V
DD
= 1.5 V, R
G
= 50
V
GS(L)
= –10 V
t
d(on)
@ I
D
= 25 mA
t
d(on)
@ I
D
= 10 mA
t
r
t
d(off)
V
GS
(
off)
= –2 V
t
d(off)
independent
of device V
GS(off)
V
DD
= 1.5 V, V
GS(L)
= –10 V
V
GS(off)
= –8 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–0.2 V
V
GS(off)
= –2 V
t
f
r
D
–
)
r
D
–
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
J108 N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻8Ω，夾斷電流20pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
J111 N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻30Ω，夾斷電流5pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
J112 N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻50Ω，夾斷電流5pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
J113 N-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻100Ω，夾斷電流5pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
J175 P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻125Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
J110 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
J110,126 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 25V 80mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
J110 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
J110 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Leaded Process Compatible:Yes
J110/D 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:JFET - General Purpose
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