參數(shù)資料
型號(hào)： J174
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻85Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場(chǎng)效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻85Ω，夾斷電流，10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： J174
J/SST174 Series
2
Siliconix
P-37653—Rev. D, 25-Jul-94
Absolute Maximum Ratings
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
30 V
30 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–50 mA
–55 to 150 C
–55 to 150 C
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
Power Dissipation
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300 C
. . . . . . . . . . . . . . .
350 mW
Notes
a.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
Specifications
a
for J/SST174 and J/SST175
Limits
J/SST174
J/SST175
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
b
Min
Max
Min
Max
Unit
Static
Gate-Source Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
V
GS(off)
I
DSS
I
G
= 1 A , V
DS
= 0 V
V
DS
= –15 V, I
D
= –10 nA
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
45
30
30
V
Gate-Source Cutoff Voltage
Saturation Drain Current
c
5
10
3
6
–20
–135
–7
–70
mA
Gate Reverse Current
I
GSS
0.01
1
1
T
A
= 125 C
5
Gate Operating Current
I
G
V
DG
= –15 V, I
D
= –1 mA
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
0.01
nA
Drain Cutoff Current
D( ff)
I
D(off)
–0.01
–1
–1
T
A
= 125 C
–5
Drain-Source On-Resistance
r
DS(on)
V
GS(F)
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= –1 mA , V
DS
= 0 V
85
125
Gate-Source Forward Voltage
–0.7
V
Dynamic
Common-Source
Forward Transconductance
g
fs
V
DS
= –15 V, I
D
= –1 mA
f = 1 kHz
4.5
mS
Common-Source
Output Conductance
g
os
20
S
Drain-Source On-Resistance
r
ds(on)
C
iss
V
GS
= 0 V, I
D
= 0 mA , f = 1 kHz
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
f = 1 MHz
85
125
Common-Source Input Capacitance
20
Common-Source
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
5
pF
Equivalent Input Noise Voltage
e
n
V
DG
= –10 V, I
D
= –1 mA
f = 1 kHz
20
nV
√
Hz
Switching
Turn-On Time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10
V
GS( )
= 0 V, V
GS( )
= 10 V
S i hi
See Switching Circuit
15
ns
Turn-Off Time
10
20
Notes
a.
b.
c.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
3%.
PSCIA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
J177 P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻300Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
J201 N-Channel JFETs
J202 N-Channel JFETs
J204 N-Channel JFETs
J201 N-Channel General Purpose Amplifier
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參數(shù)描述
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J174,126 功能描述:射頻JFET晶體管 AMMORA FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
J174_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Switch
J174_D27Z 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
J174_D74Z 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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