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參數(shù)資料
| 型號： | J201 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的N溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | N溝道場效應（最小柵源擊穿電壓至40V的N溝道結型場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | J201 |
J/SST201 Series
2
Siliconix
P-37995—Rev. D, 11-Aug-94
Absolute Maximum Ratings
Gate-Drain, Gate-Source Voltage
Gate Current
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
Storage Temperature
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
V
50 mA
300 C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .
–55 to 150 C
Operating Junction Temperature
–55 to 150 C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation
a
Notes
a.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
350 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Specifications
a
Limits
J/SST201
J/SST202
J/SST204
d
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
b
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Static
Gate-Source
Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= –1 A , V
DS
= 0 V
–40
–40
–25
V
Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 15 V, I
D
= 10 nA
–0.3
–1.5
–0.8
–4
–0.3
–2
Saturation Drain Current
c
I
DSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
0.2
1
0.9
4.5
0.2
3
mA
Gate Reverse Current
I
GSS
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
–2
–100
–100
–100
pA
T
A
= 125 C
–1
nA
Gate Operating Current
I
G
V
DG
= 10 V, I
D
= 0.1 mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= –5 V
I
G
= 1 mA , V
DS
= 0 V
–2
pA
Drain Cutoff Current
I
D(off)
V
GS(F)
2
Gate-Source Forward Voltage
0.7
V
Dynamic
Common-Source
Forward Transconductance
g
fs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
0.5
1
0.5
mS
Common-Source
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 15 V, V
= 0 V
f = 1 MHz
4.5
pF
Common-Source
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
GS
1.3
Equivalent Input Noise Voltage
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
6
nV
√
Hz
Notes
a.
b.
c.
d.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
3%.
See 2N/SST5484 Series for J204 typical characteristic curves.
NPA
NH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J204 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V的N溝道結型場效應管) |
| J202 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V的N溝道結型場效應管) |
| J204077_HA1630S01 | RESISTOR SILICONE 270 OHM 1W |
| J205027_HD29051 | Dual Differential Line Drivers / Receivers with 3-state Outputs |
| J205249_HD74LV1G00A | 2?input NAND Gate |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| J201 B | 制造商:Staco Energy Products 功能描述:Transformers |
| J201 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J201/J | 功能描述:JUMPER FLAT SLIP-ON RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 接線座 - 配件 - 跳線 系列:Magnum® 標準包裝:10 系列:- 類型:接線板 － 交叉連接 位置數(shù):4 樣式:- 適用于相關產(chǎn)品:接線座 其它名稱:FBSTB 4-6 |
| J201_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel General Purpose Amplifier |
| J201_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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