- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379245 > J211 (Vishay Intertechnology,Inc.) N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流7mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | J211 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流7mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流為7mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | J211 |
J/SSTJ210 Series
4
Siliconix
S-52428—Rev. D, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Noted)
30
0
8
2
10
24
6
0
18
12
4
6
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
–0.5 V
–2.5 V
–2.0 V
–3.0 V
–3.5 V
–1.0 V
–1.5 V
V
GS(off)
= –5 V
10
0
6
8
2
10
8
6
2
0
4
4
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
–1.2 V
V
GS(off)
= –2 V
10
0
–0.4
–1.6
–2
8
2
0
10
0
–1.2
–1.6
–0.4
–2
8
4
2
0
6
4
6
–0.8
–1.2
–0.8
30
0
–4
–5
–1
24
6
0
18
12
–2
–3
10
–5
–4
–1
0
8
2
0
6
4
–2
–3
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
T
A
= –55 C
V
GS(off)
= –2 V
125 C
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS(off)
= –5 V
T
A
= –55 C
125 C
Transfer Characteristics
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= –55 C
125 C
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
g
f
V
GS(off)
= –5 V
T
A
= –55 C
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
g
f
–
I
D
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
125 C
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
25 C
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
25 C
25 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J210 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流2mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| J212 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流15mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| J500 | Current Regulator Diodes |
| J501 | Current Regulator Diodes |
| J502 | Current Regulator Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| J211"D74Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL JFET -25V TO-92 |
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| J211_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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