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參數(shù)資料
| 型號： | J211 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流7mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小飽和漏極電流為7mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | J211 |
J/SSTJ210 Series
Siliconix
S-52428—Rev. D, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (25 C Unless Noted)
1
10
0.1
1
10
100
50
40
20
10
0
200
160
80
40
0
120
30
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= –5 V
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
V
GS(off)
= –2 V
V
GS(off)
= –5 V
A
V
–
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
r
D
–
)
10
0
–16
–20
–4
8
2
0
5
0
–12
–20
–16
–4
4
2
1
0
6
4
3
–8
–12
–8
100
10
1
0.1
100
1000
100
10
1
0.1
100
1000
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 10 V
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
V
DS
= 0 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
C
r
V
DS
= 10 V
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
g
ig
b
ig
Input Admittance
f – Frequency (MHz)
g
is
b
is
f – Frequency (MHz)
(
T
A
= 25 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
b
fg
Forward Admittance
–b
fs
–
C
i
200
500
200
500
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V
–g
fg
g
fs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J210 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流2mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| J212 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小飽和漏極電流15mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| J500 | Current Regulator Diodes |
| J501 | Current Regulator Diodes |
| J502 | Current Regulator Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| J211"D74Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL JFET -25V TO-92 |
| J211 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J211_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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