參數(shù)資料
型號(hào)： JANTX1N5520BUR-1TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： JANTX1N5520BUR-1TR
Low Voltage Surface Mount
500 mW Avalanche Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2003
10-31-2003 REV B
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
IN5518BUR-1 thru 1N5546BUR-1
(or MLL5518B-1 thru MLL5546B-1)
1N5
518
BUR
–
1N5
546
BUR
GRAPHS and CIRCUIT
Noise density, (ND) is specified in
microvolt-rms per square-root-hertz.
Actual measurement is performed
using a 1 kHz to 3 kHz frequency
bandpass filter at a constant Zener test
current (IZT) at 25
oC ambient
temperature.
P
dRated
Po
wer
Dissipation
(m
W
)
FIGURE 1 Noise Density
Measurement Circuit
TEC
TA
TEC, End Cap Temperature (
oC) or TA
Ambient temperature on FR4 PC board
FIGURE 2 Power Derating Curve
T
ypical
Capacita
nce
in
Picofarads
(pf)
Zener Voltage VZ
FIGURE 4
FIGURE 3 Capacitance vs. Zener Voltage (Typical)
Zener Diode Characteristics and Symbol Identification
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
MILLIMETERS
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.063
0.067
1.60
1.70
B
0.130
0.146
3.30
3.70
C
0.016
0.022
0.41
0.55
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.200
5.08
B
.055
1.40
C
.080
2.03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTX1N5520DURTR 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5521BURTR 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5530CUR-1TR 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5532AUR-1TR 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
JANTX1N5532CURTR 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTX1N5520C-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTX1N5520CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTX1N5520D-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTX1N5520DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.9V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANTX1N5521B 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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