參數(shù)資料
型號： JS28F128P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 17/102頁
文件大小： 1609K
代理商： JS28F128P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
17
4.0
Ballout and Signal Descriptions
4.1
Signal Ballout
Notes:
1.
2.
3.
A1 is the least significant address bit.
A23 is valid for 128-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
A24 is valid for 256-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
Figure 7.
56-Lead TSOP Pinout (64/128/256-Mbit)
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
56-Lead TSOP Pinout
14 mm x 20 mm
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WP#
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A8
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A24
RFU
VSS
WAIT
A17
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DQ7
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DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
ADV#
CLK
RST#
VPP
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DQ2
VCCQ
DQ9
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DQ0
VCC
OE#
VSS
CE#
A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
JSPHS-150 Narrow Band Phase Shifter 50ohm 180 Voltage Variable 100 to 150 MHz
JSPHS-26 50Ohm 180∑ Voltage Variable 18 to 26 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F128P30BF750 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays
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JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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