參數(shù)資料
型號(hào): JS28F128P30T85
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù): 15/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
15
Figure 5.
512-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x11x1.2 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.860
0.375
11.000
8.000
0.800
88
-
1.200
1.100
Inches
Nom
-
-
0.0339
0.0148
0.4331
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0433
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Length
Package Body Width
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
N
Y
S1
S2
Min
-
0.200
-
0.325
10.900
7.900
-
-
-
1.100
1.000
Max
1.200
-
-
0.425
11.100
8.100
-
-
0.100
1.300
1.200
Min
-
0.0079
-
0.0128
0.4291
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0394
Max
0.0472
-
-
0.0167
0.4370
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0472
Top View - Ball Down
Bottom View - Ball Up
A
A2
D
E
Y
A1
Drawing not to scale.
S2
S1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
A1 Index
Mark
1
2
3
4
5
6
7
8
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PDF描述
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JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
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