參數(shù)資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 26/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
26
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
12
128
210
CF0000 - CFFFFF
106
670000 - 67FFFF
4
128
39
270000 - 27FFFF
.
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128
195
C00000 - C0FFFF
99
600000 - 60FFFF
128
32
200000 - 20FFFF
11
128
194
BF0000 - BFFFFF
98
5F0000 - 5FFFFF
3
128
31
1F0000 - 1FFFFF
.
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128
179
B00000 - B0FFFF
91
580000 - 58FFFF
128
24
180000 - 18FFFF
10
128
178
AF0000 - AFFFFF
90
570000 - 57FFFF
2
128
23
170000 - 17FFFF
.
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128
163
A0000 - A0FFFF
83
500000 - 50FFFF
128
16
100000 - 10FFFF
9
128
162
9F0000 - 9FFFFF
82
4F0000 - 4FFFFF
1
128
15
0F0000 - 0FFFFF
.
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128
147
900000 - 90FFFF
75
480000 - 48FFFF
128
8
080000 - 08FFFF
8
128
146
8F0000 - 8FFFFF
74
470000 - 47FFFF
0
128
10
070000 - 07FFFF
.
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128
131
800000 - 80FFFF
67
400000 - 40FFFF
128
4
010000 - 01FFFF
7
128
130
7F0000 - 7FFFFF
66
3F0000 - 3FFFFF
32
3
00C000 - 00FFFF
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128
115
700000 - 70FFFF
59
380000 - 38FFFF
32
0
000000 - 003FFF
6
128
114
6F0000 - 6FFFFF
58
370000 - 37FFFF
.
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128
99
600000 - 60FFFF
51
300000 - 30FFFF
5
128
98
5F0000 - 5FFFFF
50
2F0000 - 2FFFFF
.
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.
128
83
500000 - 50FFFF
43
280000 - 28FFFF
4
128
82
4F0000 - 4FFFFF
42
270000 - 27FFFF
.
.
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128
67
400000 - 40FFFF
35
200000 - 20FFFF
3
128
66
3F0000 - 3FFFFF
34
1F0000 - 1FFFFF
.
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128
51
300000 - 30FFFF
27
180000 - 18FFFF
2
128
50
2F0000 - 2FFFFF
26
170000 - 17FFFF
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128
35
200000 - 20FFFF
19
100000 - 10FFFF
1
128
34
1F0000 - 1FFFFF
18
0F0000 - 0FFFFF
.
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.
128
19
100000 - 10FFFF
11
080000 - 08FFFF
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
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PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
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參數(shù)描述
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JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
JS28F128P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 128MBIT 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:128Mbit, Memory Configuration:8M x 16, Supply Voltage Min:2.3V, Supply Voltage Max:3.6V, Memory Case Style:TSOP, No. of Pins:56, Access Time:70ns, IC Interface , RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Memory 128Mb,3V,70ns,TSOP56
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