參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 77/102頁(yè)
文件大小： 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
77
14.3
CFI Query
The CFI Query command instructs the device to output Common Flash Interface (CFI) data when
read. See
Section 9.2, “Device Commands” on page 50
for details on issuing the CFI Query
command.
Appendix C, “Common Flash Interface” on page 93
shows CFI information and address
offsets within the CFI database.
Table 29.
Device Identifier Information
Item
Address
(1)
Data
Manufacturer Code
0x00
0089h
Device ID Code
0x01
ID (see
Table 30
)
Block Lock Configuration:
BBA + 0x02
Lock Bit:
Block Is Unlocked
DQ
0
= 0b0
DQ
0
= 0b1
DQ
1
= 0b0
DQ
1
= 0b1
Block Is Locked
Block Is not Locked-Down
Block Is Locked-Down
Configuration Register
0x05
Configuration Register Data
Lock Register 0
0x80
PR-LK0
64-bit Factory-Programmed Protection Register
0x81–0x84
Factory Protection Register Data
64-bit User-Programmable Protection Register
0x85–0x88
User Protection Register Data
Lock Register 1
0x89
Protection Register Data
128-bit User-Programmable Protection Registers
0x8A–0x109
PR-LK1
Notes:
1.
BBA = Block Base Address.
Table 30.
Device ID codes
ID Code Type
Device Density
Device Identifier Codes
–T
(Top Parameter)
8817
8818
8919
–B
(Bottom Parameter)
881A
881B
891C
Device Code
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
JS28F128P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 128MBIT 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:128Mbit, Memory Configuration:8M x 16, Supply Voltage Min:2.3V, Supply Voltage Max:3.6V, Memory Case Style:TSOP, No. of Pins:56, Access Time:70ns, IC Interface , RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Memory 128Mb,3V,70ns,TSOP56
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