參數(shù)資料
型號： JS28F256J3C-125
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 17/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： JS28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
17
GND
Supply
GROUND:
Do not float any ground signals.
NC
—
NO CONNECT:
Lead is not internally connected; it may be driven or floated.
RFU
—
RESERVED
for
FUTURE USE:
Balls designated as RFU are reserved by Intel for future device
functionality and enhancement
.
Table 3. Signal Descriptions (Sheet 2 of 2)
Symbol
Type
Name and Function
相關PDF資料
PDF描述
JS28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
JS28F320J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
JS28F320J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
JS28F320J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
JS28F320J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
JS28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256J3F105A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F256J3F105B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK 56LD TSOP 3.0 LF - Tape and Reel
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