參數資料
型號： JS28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數： 10/102頁
文件大小： 1609K
代理商： JS28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
10
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
3.0
Package Information
3.1
56-Lead TSOP Package
Figure 1.
TSOP Mechanical Specifications
A
0
L
Detail A
Y
D
C
Z
Pin 1
E
D
1
b
Detail B
See Detail A
e
See Detail B
A
1
Seating
Plane
A
2
See Note 2
[231369-90]
See Notes 1 and 3
Table 1.
TSOP Package Dimensions (Sheet 1 of 2)
Product Information
Sym
Millimeters
Inches
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Package Height
A
-
-
1.200
-
-
0.047
Standoff
A
1
0.050
-
-
0.002
-
-
Package Body Thickness
A
2
0.965
0.995
1.025
0.038
0.039
0.040
Lead Width
b
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Lead Thickness
c
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Package Body Length
D
1
18.200
18.400
18.600
0.717
0.724
0.732
Package Body Width
E
13.800
14.000
14.200
0.543
0.551
0.559
Lead Pitch
e
-
0.500
-
-
0.0197
-
相關PDF資料
PDF描述
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
相關代理商/技術參數
參數描述
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JS28F256P30BFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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