參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 101/102頁(yè)
文件大小： 1609K
代理商： JS28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
101
Appendix E Ordering Information for Discrete Products
Figure 48.
Decoder for Discrete Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
F 6 4
P 3 0 B
8
E 2
T
0
Product Line Designator
28F = Intel Flash Memory
Package Designator
TE = 56-Lead TSOP, leaded
JS = 56-Lead TSOP, lead-free
RC = 64-Ball Easy BGA, leaded
PC = 64-Ball Easy BGA, lead-free
Device Density
640 = 64-Mbit
128 = 128-Mbit
256 = 256-Mbit
Product Family
P30 = Intel StrataFlash Embedded Memory
V
CC
= 1.7 – 2.0 V
V
CCQ
= 1.7 – 3.6 V
Access Speed
85 ns
Parameter Location
B = Bottom Parameter
T = Top Parameter
8 5
Table 41.
Valid Combinations for Discrete Products
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
TE28F640P30B85
TE28F128P30B85
TE28F256P30B85
TE28F640P30T85
TE28F128P30T85
TE28F256P30T85
JS28F640P30B85
JS28F128P30B85
JS28F256P30B85
JS28F640P30T85
JS28F128P30T85
JS28F256P30T85
RC28F640P30B85
RC28F128P30B85
RC28F256P30B85
RC28F640P30T85
RC28F128P30T85
RC28F256P30T85
PC28F640P30B85
PC28F128P30B85
PC28F256P30B85
PC28F640P30T85
PC28F128P30T85
PC28F256P30T85
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256P30B95 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays
JS28F256P30B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:Q2841869
JS28F256P30B95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30BFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30BFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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