參數(shù)資料
型號： JS28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 24/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
24
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
4.4
Memory Maps
Table 7
through
Table 10
show the P30 memory maps. See
Section 11.0, “Programming
Operations” on page 61
for Programming Region information.
Table 7.
Discrete Top Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
15
32
258
FFC000 - FFFFFF
130
7FC000 - 7FFFFF
7
32
66
3FC000 - 3FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
32
255
FF0000 - FF3FFF
127
7F0000 - FF3FFF
32
63
3F0000 - 3F3FFF
128
254
FE0000 - FEFFFF
126
7E0000 - 7EFFFF
128
62
3E0000 - 3EFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
240
F00000 - F0FFFF
120
780000 - 78FFFF
128
56
380000 - 38FFFF
14
128
239
EF0000 - EFFFFF
119
770000 - 77FFFF
6
128
55
370000 - 37FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
224
E00000 - E0FFFF
112
700000 - 70FFFF
128
48
300000 - 30FFFF
13
128
223
DF0000 - DFFFFF
111
6F0000 - 6FFFFF
5
128
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
208
D00000 - D0FFFF
104
680000 - 68FFFF
128
40
280000 - 28FFFF
12
128
207
CF0000 - CFFFFF
103
670000 - 67FFFF
4
128
39
270000 - 27FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
192
C00000 - C0FFFF
96
600000 - 60FFFF
128
32
200000 - 20FFFF
11
128
191
BF0000 - BFFFFF
95
5F0000 - 5FFFFF
3
128
31
1F0000 - 1FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
176
B00000 - B0FFFF
88
580000 - 58FFFF
128
24
180000 - 18FFFF
10
128
175
AF0000 - AFFFFF
87
570000 - 57FFFF
2
128
23
170000 - 17FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
160
A0000 - A0FFFF
80
500000 - 50FFFF
128
16
100000 - 10FFFF
9
128
159
9F0000 - 9FFFFF
79
4F0000 - 4FFFFF
1
128
15
0F0000 - 0FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
144
900000 - 90FFFF
72
480000 - 48FFFF
128
8
080000 - 08FFFF
8
128
143
8F0000 - 8FFFFF
71
470000 - 47FFFF
0
128
7
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
128
800000 - 80FFFF
64
400000 - 40FFFF
128
0
000000 - 00FFFF
7
128
127
7F0000 - 7FFFFF
63
3F0000 - 3FFFFF
.
.
.
.
.
128
112
700000 - 70FFFF
56
380000 - 38FFFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
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參數(shù)描述
JS28F256P30B95 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays
JS28F256P30B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F256P30B95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30BFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30BFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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