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參數(shù)資料
| 型號： | JS28F256P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 57/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F256P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
57
10.3.3
WAIT Polarity
The WAIT Polarity bit (WP), RCR[10] determines the asserted level (V
OH
or V
OL
) of WAIT.
When WP is set, WAIT is asserted high (default). When WP is cleared, WAIT is asserted low.
WAIT changes state on valid clock edges during active bus cycles (CE# asserted, OE# asserted,
RST# deasserted).
10.3.3.1
WAIT Signal Function
The WAIT signal indicates data valid when the device is operating in synchronous mode
(RCR[15]=0). The WAIT signal is only “deasserted” when data is valid on the bus.
When the device is operating in synchronous non-array read mode, such as read status, read ID, or
read query. The WAIT signal is also “deasserted” when data is valid on the bus.
WAIT behavior during synchronous non-array reads at the end of word line works correctly only
on the first data access.
When the device is operating in asynchronous page mode, asynchronous single word read mode,
and all write operations, WAIT is set to a deasserted state as determined by RCR[10]. See
Figure
17, “Asynchronous Single-Word Read (ADV# Latch)” on page 38
, and
Figure 18, “Asynchronous
Page-Mode Read Timing” on page 39
.
Figure 29.
Example Latency Count Setting using Code 3
CLK
CE#
ADV#
A[MAX:0]
D[15:0]
t
Data
Code 3
Address
Data
0
1
2
3
4
R103
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS4PS-1W | Power Splitter/Combiner |
| JSPHS-1000 | 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F256P30B95 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays |
| JS28F256P30B95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F256P30B95B | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F256P30BFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F256P30BFE | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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