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參數(shù)資料
| 型號： | JS28F256P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 84/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | JS28F256P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
84
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
5.
The Clear Status command only clears the error bits in the status register if the device is not in the following modes: WSM
running (Pgm Busy, Erase Busy, Pgm Busy In Erase Suspend, OTP Busy, BEFP modes).
BEFP writes are only allowed when the status register bit #0 = 0, or else the data is ignored.
The "current state" is that of the "chip" and not of the "partition"; Each partition "remembers" which output (Array, ID/CFI or
Status) it was last pointed to on the last instruction to the "chip", but the next state of the chip does not depend on where
the partition's output mux is presently pointing to.
Confirm commands (Lock Block, Unlock Block, Lock-Down Block, Configuration Register) perform the operation and then
move to the Ready State.
WA0 refers to the block address latched during the first write cycle of the current operation.
6.
7.
8.
9.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS4PS-1W | Power Splitter/Combiner |
| JSPHS-1000 | 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F256P30B95 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays |
| JS28F256P30B95A | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F256P30B95B | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F256P30BFA | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F256P30BFE | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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