參數(shù)資料
型號： JS28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 25/102頁
文件大小： 1609K
代理商： JS28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
25
6
128
111
6F0000 - 6FFFFF
55
370000 - 37FFFF
.
.
.
.
.
128
96
600000 - 60FFFF
48
300000 - 30FFFF
5
128
95
5F0000 - 5FFFFF
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
128
80
500000 - 50FFFF
39
280000 - 28FFFF
4
128
79
4F0000 - 4FFFFF
38
270000 - 27FFFF
.
.
.
.
.
128
64
400000 - 40FFFF
32
200000 - 20FFFF
3
128
63
3F0000 - 3FFFFF
31
1F0000 - 1FFFFF
.
.
.
.
.
128
48
300000 - 30FFFF
24
180000 - 18FFFF
2
128
47
2F0000 - 2FFFFF
23
170000 - 17FFFF
.
.
.
.
.
128
32
200000 - 20FFFF
16
100000 - 10FFFF
1
128
31
1F0000 - 1FFFFF
15
0F0000 - 0FFFFF
.
.
.
.
.
128
16
100000 - 10FFFF
8
080000 - 08FFFF
0
128
15
0F0000 - 0FFFFF
7
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 7.
Discrete Top Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
15
128
258
FF0000 - FFFFFF
130
7F0000 - 7FFFFF
7
128
62
3F0000 - 3FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
243
F00000 - F0FFFF
123
780000 - 78FFFF
128
56
380000 - 38FFFF
14
128
242
EF0000 - EFFFFF
122
770000 - 77FFFF
6
128
55
370000 - 37FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
227
E00000 - E0FFFF
115
700000 - 70FFFF
128
48
300000 - 30FFFF
13
128
226
DF0000 - DFFFFF
114
6F0000 - 6FFFFF
5
128
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
211
D00000 - D0FFFF
107
680000 - 68FFFF
128
40
280000 - 28FFFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F256P30TF 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 制造商:Numonyx BV 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56
JS28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*