參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 44/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
44
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Note:
ignored during write operation.
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low). Clock is
Note:
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low).
Figure 25.
Synchronous Read-to-Write Timing
Figure 26.
Write-to-Synchronous Read Timing
Latency Count
Q
D
D
W7
R305
R304
R7
R312
R307
R16
W15
W22
W21
W9
W8
W3
W22
W21
W2
R8
R4
W6
R11
R13
R303
R3
R104
R106
R102
R105
W18
W5
R101
R2
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WE#
WAIT [T]
Data [D/Q]
D
Q
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R15
R4
W20
W19
W18
W3
R11
R303
W6
W2
R104
R106
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F256P30TF 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 制造商:Numonyx BV 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56
JS28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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