參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F256P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 50/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F256P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
50
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
9.2
Device Commands
Device operations are initiated by writing specific device commands to the Command User
Interface (CUI). See
Table 20, “Command Bus Cycles” on page 50
. Several commands are used to
modify array data including Word Program and Block Erase commands. Writing either command
to the CUI initiates a sequence of internally
-
timed functions that culminate in the completion of the
requested task. However, the operation can be aborted by either asserting RST# or by issuing an
appropriate suspend command.
Table 20.
Command Bus Cycles (Sheet 1 of 2)
Mode
Command
Bus
Cycles
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Oper
Addr
(1)
Data
(2)
Read
Read Array
1
Write
DBA
0xFF
-
-
-
Read Device Identifier
≥
2
Write
DBA
0x90
Read
DBA + IA
ID
CFI Query
≥
2
Write
DBA
0x98
Read
DBA + QA
QD
Read Status Register
2
Write
DBA
0x70
Read
DBA
SRD
Clear Status Register
1
Write
DBA
0x50
-
-
-
Program
Word Program
2
Write
WA
0x40/
0x10
Write
WA
WD
Buffered Program
(3)
>
2
Write
WA
0xE8
Write
WA
N - 1
Buffered Enhanced Factory
Program (BEFP)
(4)
>
2
Write
WA
0x80
Write
WA
0xD0
Erase
Block Erase
2
Write
BA
0x20
Write
BA
0xD0
Suspend
Program/Erase Suspend
1
Write
DBA
0xB0
-
-
-
Program/Erase Resume
1
Write
DBA
0xD0
-
-
-
Block
Locking/
Unlocking
Lock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x01
Unlock Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0xD0
Lock-down Block
2
Write
BA
0x60
Write
BA
0x2F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
JS28F256P30TF 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56 制造商:Numonyx BV 功能描述:16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PDSO56
JS28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
JS28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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